La société Samsung Electronics a annoncé mardi le développement d’une nouvelle puce mémoire à large bande passante, baptisée “HBM3E 12H”, offrant la plus grande capacité de l’industrie à ce jour. Le géant sud-coréen a confirmé que cette puce améliore les performances et la capacité de plus de 50%.
Yong Chul Bae, vice-président exécutif de la planification des produits mémoire chez Samsung Electronics, a déclaré : “Face à une demande croissante de capacités accrues de la part des fournisseurs de services d’intelligence artificielle, notre nouveau produit, le “HBM3E 12H”, a été conçu pour répondre à ces besoins”.
Cette avancée s’inscrit dans le cadre de l’orientation générale de Samsung vers le développement des technologies fondamentales des puces HBM à empilement élevé, affirmant ainsi son leadership technologique sur le marché des HBM à grande capacité à l’ère de l’intelligence artificielle.
Samsung Electronics est le plus grand fabricant de puces de mémoire vive dynamique au monde, utilisées dans des dispositifs grand public tels que les smartphones et les ordinateurs.
D’autre part, Micron Technology a commencé la production de semi-conducteurs utilisant la technologie de mémoire à large bande passante (HBM). La société affirme que le “HBM3E” consommera 30% moins d’énergie par rapport aux produits concurrents. Ces puces devraient répondre à une demande croissante pour l’exécution d’applications générées par l’intelligence artificielle.
Le “HBM” est un produit rentable majeur pour Micron Technology en raison de sa complexité technique. Nvidia prévoit d’utiliser cette puce dans ses prochaines unités de traitement graphique H200, avec une expédition prévue au deuxième trimestre. Elle surpassera la puce H100 actuelle, ayant entraîné une augmentation massive des revenus pour la société de conception de puces.
